2017-06-21 拓墣產業研究院

Ⅲ-V族半導體磊晶廠發展狀況

焦點報告 IC製造與封測

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摘要

半導體製程的微縮必須伴隨著電晶體效能提升才有延續下去的意義，由於矽本身物理特性的限制，使製程上需考慮採用其他半導體材料，其中部分Ⅲ-V族半導體材料擁有較高的電子遷移率、頻率響應、線性度及功率與低操作電壓等優異的物理特性，因此在無線通訊、高速光通訊、圖像識別與功率元件的市場需求高漲，Ⅲ-V族半導體發展越來越重要，本篇研究報告將專注Ⅲ-V族磊晶廠的發展趨勢與以剖析。

Ⅲ-V族半導體磊晶廠發展狀況

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